參數資料
型號: 2SB1122
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Low-Frequency Power Amp Applications
中文描述: 低頻功率放大器的應用
文件頁數: 3/4頁
文件大?。?/td> 117K
代理商: 2SB1122
相關PDF資料
PDF描述
2SD1622 Low-Frequency Power Amp Applications
2SB1123 High-Current Switching Applications
2SD1623 High-Current Switching Applications
2SB1124 High-Current Switching Applications
2SD1624 High-Current Switching Applications
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1122_11 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications
2SB1122-D 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amplifier Applications
2SB1122R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
2SB1122S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
2SB1122S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2