參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1121T
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： 2SB1121T
2SB1121 / 2SD1621
No.1787-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)20V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100*
560*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
65
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(32)19
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--0.35)0.18
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)25
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(350)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)25
ns
*: The 2SB1121 / 2SD1621 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
12V
--5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
24Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1621-T 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1121-R 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1621S 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1121R 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1627 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1121U 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89
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2SB1122_11 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications
2SB1122-D 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amplifier Applications
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