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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1025 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SB1025 |
2SB1025
4
Saturation Voltage vs. Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
B
V
B
(
C
V
C
(
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–0.6
I
= 10 I
B
Pulse
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
25
25
75
–25
Ta = 75
°
C
Ta = –25
°
C
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
100
200
300
Collector Current I
C
(mA)
G
T
–10
–30
–100
–300
–1,000
V
CE
= –5 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
C
o
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
2
5
10
20
50
100
200
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
f = 1 MHz
I
E
= 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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