參數(shù)資料
型號： 2SB1020A
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： 2SB1020A
4
YA852C15R
5
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
5
1
0
1
5
0
90
100
110
120
130
140
150
160
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
λ
:Conduction angle of forward current for each rectifier element
Io:Output current of center-tap full wave connection
DC
Current Derating (Io-Tc) (max.)
Tc
C
as
e
Te
m
pe
ra
tu
re
(°
C
)
IO Average Output Current (A)
λ
360°
I0
VR=75V
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
j
Ju
nc
tio
n
C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F)
VR Reverse Voltage (V)
0
1
0
1
10
100
Surge Capability (max.)
Ｉ
F
S
M
P
ea
k
H
a
lf
-
Wa
v
e
C
ur
r
en
t
（
Ａ
）
Number of Cycles at 50Hz
相關PDF資料
PDF描述
2SB1025-DJ SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025DH SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025-DK SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025-DK SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1020A(F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT HFE 2000(min) VCE-3V Vcbo -100V DC -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1020A_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power)
2SB1021 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR 2-10L1A-80V -7A 40W BCE
2SB1022 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -60V -7A 40W BCE
2SB1023 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -60V -3A 25W BCE
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