參數(shù)資料
型號(hào)： 2SAR553PT100
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商： 2SAR553PT100
3/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Data Sheet
2SAR553P
Electrical characteristic curves
I
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
]
A
m[
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB [V]
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB [V]
)
F
p(
bi
C
:
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T
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R
O
T
C
E
L
O
C
Fig.7 Emitter Input Capacitance vs.
Emitter-Base Voltage
Collector Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
V
:
E
G
A
T
L
O
V
N
OI
T
A
R
U
T
A
S
R
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T
C
E
L
O
C
E
C
]
V[)
t
as
(
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
:
E
G
A
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V
N
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T
A
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C
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CV
CE
)[V]t
a
s(
E
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:
NI
A
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N
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D
E
F
h
:
NI
A
G
T
N
E
R
U
C
D
EMITTER CURRENT : IE[mA]
fT
[MHz]
:
Y
C
N
E
U
Q
E
R
F
N
OI
TI
S
N
A
R
T
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
Fig.6 Ground Emitter Propagation
Characteristics
Fig.1 Typical Output Characteristics
IC
[A]
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
Fig.2 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι )
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
Fig3. DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ )
Fig.4 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (
Ι )
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (
ΙΙ )
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs.
Emitter Current
Fig.9 Safe Operating Area
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE[V]
IC
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
[A
]
-1
-10
-100
-1000
-10000
0
-0.5
-1
-1.5
1
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
-0.001
-0.01
-0.1
-1
10
100
1000
10
100
1000
-1
-10000
-1000
-100
-10
-1
-10000
-1000
-100
-10
-1
-10000
-1000
-100
-10
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10000
-1000
-100
-10
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
10
100
1000
10
100
1000
-0.01
-0.1
-1
-10
Cob
Cib
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Ta=25°C
VCE = -2V
Ta=25°C
VCE= -5V
-2V
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-0.5mA
-3.0mA
-5.0mA -4.0mA
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Single pulse
IC/IB=50
20
10
IC/IB=20
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
VCE= -2V
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Ta=25°C
VCE= -10V
100ms
10ms
1ms
DC Ta=25°C
(Mounted on a
recommended land)
DC Ta=25°C
(Mounted on a ceramic board)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB0642Q 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0873Q 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB0873P 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB0942PQ 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB942PQ 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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