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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA879 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 中文描述： | 70 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SA879 |
2
Transistor
2SA879
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
Ta=25C
I
B
=–2mA
–1.8mA
–1.6mA
––1.2mA
–1.0mA
– 0.8mA
– 0.4mA
– 0.6mA
– 0.2mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
–2.4
–2.0
–1.6
– 0.4
Base current I
B
(mA)
–1.2
– 0.8
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
=–10V
Ta=25C
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.2
– 0.6
– 0.4
0
–2.4
–2.0
–1.6
–1.2
– 0.8
– 0.4
V
=–10V
Ta=25C
B
B
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
CE
=–10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
300
250
200
150
100
50
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0.1
1
10
100
0.3
Emitter current I
E
(mA)
3
30
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
16
12
4
10
14
8
2
6
f=1MHz
I
=0
Ta=25C
C
o
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA880 | SI PNP EPITAXIAL PLANAR |
| 2SA883 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA885 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SA0885 | Silicon PNP epitaxial planar type |
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參數(shù)描述 |
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