參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA733P
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： 2SA733P
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
A733LT1
TRANSISTOR
PNP
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.2 W
Collector current
I
CM
: -0.15 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -60 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
T
stg
: -55
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb=25
to +150
Tamb=25
unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= -5
A
I
E
=0
-60
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
I
C
= -1 mA , I
B
=0
-50
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
= -50
A
I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= -60 V , I
E
=0
-0.1
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -5 V , I
C
=0
-0.1
A
DC current gain
H
FE 1
V
CE
= -6 V, I
C
= -1mA
120
475
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
= -100mA, I
B
=- 10mA
-0.18
-0.3
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= -6 V, I
C
=-10mA
f =
30MHz
50
MHz
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
Rank
L
H
Range
120-200
200-475
MARKING
CS
Unit : mm
SOT
1. BASE
23
2. EMITTER
3. COLLECTOR
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PDF描述
2SA739 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SA733 LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SA733 PNP SILICON TRANSISTOR
2SA733 PNP SILICON TRANSISTOR
2SA733K PNP SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SA733P_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT CU FRAME-ECB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA733-P-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SA733Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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