參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2222
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 10 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 69K
代理商: 2SA2222
2SA2222
No. A1148-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--40V, IE=0A
--10
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0A
--10
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=--2V, IC=--270mA
150
450
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--10V, IC=--1A
230
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
115
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--6A, IB=--300mA
--250
--500
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--6A, IB=--300mA
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--100μA, IE=0A
--50
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--100μA, IC=0A
--6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
240
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
22
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7508-002
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
IT13441
0--5
--2
--3
--4
--1
0
--1
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--8
--9
--10
IB=0mA
--10mA
--60mA
--80m
A
--90mA
--100mA
--150
m
A
--
300
m
A
--
400
m
A
--
500
m
A
--20mA
--40mA
--50mA
--70mA
--30mA
--200
mA
IT13442
0
--2.0
--1.0
--1.5
--0.5
0
--0.5
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--4.0
--4.5
--5.0
IB=0mA
--5mA
--30mA
--40m
A
--45m
A
--50mA
--
90
m
A
--
100
m
A
--10mA
--20mA
--25mA
--35m
A
--15mA
--60
mA
--
70
m
A
--80
mA
VR
RL
VCC= --20V
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --5A
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
IB2
D.C.≤1%
10.0
3.2
4.5
2.8
16.0
18.1
5.6
14.0
3.5
7.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
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PDF描述
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