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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA2210 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管大電流開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SA2210 |
2SA2210
No. A0667-2/4
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=--40V, IE=0A
VEB=--4V, IC=0A
VCE=--2V, IC=--1A
VCE=--10V, IC=--1A
VCB=--10V, f=1MHz
IC=--7A, IB=--350mA
IC=--7A, IB=--350mA
IC=--100
μ
A, IE=0A
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--100
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--10
--10
450
μ
A
μ
A
150
140
215
--200
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
--500
--1.2
--50
--50
--6
60
270
20
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7508-002
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IC -- VCE
C
IT12019
0
--2.0
--0.5
--1.0
--1.5
0
--2
--14
--12
--10
--8
--6
--4
--16
--18
--20
IT12020
0
--1.0
--0.8
--0.2
--0.4
--0.6
0
--1
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--8
--9
--10
IB=0mA
IB=0mA
-
70
m
A
--
400
m
A
-
500
m
A
-
600
m
A
-
300
m
A
--
200
m
A
--
100
m
A
-
80
m
A
-
90
m
A
-
10
m
A
-
50
m
A
-
40
m
A
-
30
m
A
-
20
m
A
--
120
m
A
--
140
m
A
--
160
m
A
--
180
m
A
--
80
m
A
-
100
m
A
--
60
m
A
--
40
m
A
--
20
m
A
VR
RL
VCC= --20V
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --7A
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
10.0
3.2
4.5
2.8
1
1
5
1
3
7
2
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
2.55
1
2
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA608NPG | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA608KNP | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA608KNPD | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA608KNPE | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA608KNPF | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2210_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
| 2SA2210-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 20A 50V - Ammo Pack |
| 2SA2210-EPN-1E | 功能描述:TRANS PNP 20A 50V TO220 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| 2SA2210-EPN-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 20A 50V - Ammo Pack |
| 2SA2215(TE85L) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 20V 2.5A hfe200-500 UFM |
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