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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2207 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管50V / 13A條高速開關應用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SA2207 |
2SA2207
No. A0233-2/4
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Ratings
typ
--250
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--6A, IB=--300mA
IC=--6A, IB=--300mA
IC=--100
μ
A, IE=0A
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--100
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--500
--1.2
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
--50
--50
--6
80
265
43
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7518-003
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7003-003
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
-200
m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IC -- VCE
-50
m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IT10080
0
--2.0
--0.5
--1.0
--1.5
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
IB=0mA
-m
--100
m
A
--80
m
A
--20
m
A
-m
--40
m
A
--60
m
A
--120
m
A
-0
--140
m
A
--180
m
A
IT10081
--160
m
A
0
--1.0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
IB=0mA
-0A
--40
m
A
--5
m
A
-m
--10
m
A
--20
m
A
--30
m
A
-60
m
A
-70
m
A
-0A
VR
RL
VCC= --25V
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --6.7A
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
6.5
5.0
2.3
0.5
1
2
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
2.3
7
7
1
0
5
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
6.5
5.0
4
2.3
0.5
1
2
3
0.85
0.6
0.5
1.2
1
2.3
2.3
7
2
5
1
0
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
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