參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2203
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： 2SA2203
2SA2203
No. A0542-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--10
μ
A, IE=0A
IC=--100
μ
A, RBE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--110
--90
--0.85
--220
--180
--
1.2
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
--60
--60
--60
--7
35
480
28
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7518-003
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7003-003
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
1
2
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
2.3
7
7
1
0
5
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
VR
VCC= --30V
VBE=5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC= --10IB1=10IB2= --0.5A
1k
6.5
5.0
4
2.3
0.5
1
2
3
0.85
0.6
0.5
1.2
1
2.3
2.3
7
2
5
1
0
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
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PDF描述
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