參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2197
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
中文描述: 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
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代理商: 2SA2197
2SA2197 / 2SC6102
No. A0463-2/5
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Ratings
typ
(--160)125
(--)0.84
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)2.5A, IB=(--)50mA
VCE=(--)2.5V, IB=(--)50mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=
IE=(--)10
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
(--240)185
(--)1.2
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
(--30)40
(--)30
(--)6
(30)30
(190)320
(17)14
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7515-002
Switching Time Test Circuit
8.0
4.0
1.6
0.8
0.8
0.6
7
3
1
1
1
0.5
2.7
1
2
3
3.0
4.8
1
2.4
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
IC -- VCE
IC -- VCE
40mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
7
6
3
4
5
1
2
1.6
0.4
0.8
1.2
1.8
0.2
0.6
1.0
1.4
2.0
0
0
IB=0mA
5mA
10mA
15mA
20mA
IT11479
--7
--6
--3
--4
--5
--1
--2
0
0
--0.2
--0.6
--1.0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.8
--1.4
--1.6
--2.0
--10mA
--15mA
IB=0mA
IT11478
--20mA
--40mA
2SA2197
2SC6102
--5mA
--30mA
--25mA
--50mA
30mA
50mA
25mA
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
20IB1= --20IB2=IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
RL
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2SA2199T2LQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SA2200-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:PNP 60V 0.1A 200 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT89
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