參數(shù)資料
型號： 2SA2196
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SA2196
2SA2196 / 2SC6101
No. A0462-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
typ
(--170)135
(--)120
(--)0.85
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
VCE=(--)1.5V, IB=(--)30mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
(--255)200
(--)180
(--)1.2
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
(--30)40
(--)30
(--)6
(50)30
(270)300
(25)15
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7515-002
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
IC -- VCE
50mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
5.0
4.0
3.0
1.5
4.5
3.5
2.0
2.5
0.5
1.0
1.6
0.4
0.8
1.2
1.8
0.2
0.6
1.0
1.4
2.0
0
0
IB=0mA
5mA
10mA
15mA
20mA
25mA
IT11474
--5.0
--4.0
--3.0
--1.5
--4.5
--3.5
--2.0
--2.5
--0.5
--1.0
0
0
--0.2
--0.6
--0.4
--1.8
--1.2
--0.8
--1.4
--1.6
--1.0
--2.0
--10mA
--15mA
IB=0mA
IT11473
--20mA
--40mA
--30mA
--25mA
2SA2196
2SC6101
--5mA
--50mA
30mA
40mA
8.0
4.0
1.6
0.8
0.8
0.6
7
3
1
1
1
0.5
2.7
1
2
3
3.0
4.8
1
2.4
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
20IB1= --20IB2=IC=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
24
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2197 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
2SA2203 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SA2204 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
2SA2205 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
2SA2207 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2197 制造商:SANYO 功能描述:PNP 30V 0.5A 200 to 560 TO126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 7A TO-126 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin TO-126
2SA2199 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor
2SA2199T2LQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2199T2LR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2200-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:PNP 60V 0.1A 200 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT89
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*