參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2192
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管大電流開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： 2SA2192
2SA2192
No. A0307-2/4
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typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--100
μ
A, IE=0A
IC=--100
μ
A, RBE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--100
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--50
--50
--50
--8
V
V
V
V
ns
ns
ns
70
650
60
Package Dimensions
unit : mm
7518-003
Package Dimensions
unit : mm
7003-003
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
1
2
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
2.3
7
7
1
0
5
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
VR
RB
VCC= --20V
VBE=5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC= --20IB1=20IB2= --3A
6.5
5.0
4
2.3
0.5
1
2
3
0.85
0.6
0.5
1.2
1
2.3
2.3
7
2
5
1
0
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
C
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
VCE= --2V
--10
--9
--5
--4
--1
--2
--3
--6
--7
--8
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IT10710
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
--5.0
--4.5
--4.0
--3.0
--3.5
--2.0
--2.5
--1.0
--1.5
--0.5
0
0
--2.0
--0.5
--1.0
--1.5
--8mA
--10mA
--20mA
--18mA
IB=0mA
--6mA
--2mA
--4mA
--12mA
--14mA
--16mA
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PDF描述
2SA2193 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SA2196 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
2SA2197 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
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