參數(shù)資料
型號: 2SA2169-TL
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TP-FA, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 45K
代理商: 2SA2169-TL
2SA2169 / 2SC6017
No.8275-4/5
VBE(sat) -- IC
3
--1.0
2
--0.01
--0.1
--10
Ta= --25°C
25°C
2
7
5
3
23
5
7
2
--1.0
35
7
2
35
7
2SA2169
IC / IB=50
IT08975
2SC6017
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
IT08976
75°C
3
1.0
2
0.01
0.1
10
Ta= --25°C
25°C
2
7
5
3
23
5
7
2
1.0
35
7
2
35
7
75°C
--0.01
--0.1
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
--1.0
--0.01
VCE(sat) -- IC
IT08973
Ta=75
°C
25°
C
--25
°C
0.01
0.1
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
0.01
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2169
IC / IB=50
VCE(sat) -- IC
IT08974
VCE(sat) -- IC
IT08972
2SC6017
IC / IB=20
--1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.01
5
7
3
--0.01
--0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Ta=75
°C
--25
°C
IT08971
2SA2169
IC / IB=20
25
°C
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
5
7
3
0.01
0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
1.0
10
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
2SC6017
IC / IB=50
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
0.01
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
3
10
5
7
3
2
IT09360
A S O
0.1
1.0
23
5
7
23
5
7
2
7
5
3
10
2SA2169 / 2SC6017
Tc=25
°C
Single Pulse
For PNP minus sign is omitted.
ICP=13A (PW≤100s)
IC=10A
100
s
500
s
10
s
1ms
10ms
DC
operation
100ms
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.95
0
20
40
60
80
100
120
140
160
PC -- Ta
IT09361
2SA2169 / 2SC6017
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
No
heat
sink
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2183 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2200 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2205 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2205 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2205-TL 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2169-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2174G0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2174J0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2179 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
2SA2180 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR