參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2153
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 49K
代理商： 2SA2153
2SA2153
No.8123-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--10
μ
A, IE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--50
--50
--6
V
V
V
ns
ns
ns
35
200
24
Package Dimensions
unit : mm
2038B
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
-60mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IT08346
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.4
--0.2
--0.6
00
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
IT08347
0
--2.0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
IB=0
-50mA
-40mA
-30mA
-20mA
--10mA
--5mA
--4mA
--3mA
--2mA
--1mA
VCE= --2V
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
VR
RL
VCC= --25V
VBE=5V
10IB1= --10IB2= IC= --700mA
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2
4
1
1.5
0.5
0.4
3.0
0.75
4.5
1.6
0.4
1
2
3
1.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2168 2SA2168
2SA2169 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
2SA2179 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
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2SA2181 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 15A High-Speed Switching
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參數(shù)描述
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2SA2154 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
2SA2154CT 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:General-Purpose Amplifier Applications
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