參數(shù)資料
型號： 2SA2127
廠商： TT electronics Semelab Limited
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
中文描述： 進步黨硅外延平面晶體管大電流開關(guān)應用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SA2127
2SA2127
No.8022-2/4
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Ratings
typ
--0.2
--0.9
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--10
μ
A, IE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
--0.4
--1.2
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
--50
--50
--6
35
250
24
Package Dimensions
unit : mm
2006C
Switching Time Test Circuit
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
1 2 3
0.5
0.6
0.5
0.5
1.45
1.45
6.0
5.0
4.7
3
1
8
1
VR
RB
VCC= --25V
VBE=5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IC
IB2
IC=10IB1= --10IB2= --0.5A
IC -- VCE
-40mA
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
--2.0
--1.8
--1.6
--1.2
--1.4
--0.8
--1.0
--0.4
--0.6
--0.2
0
--0.4
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
IT07578
--6mA
--10mA
-20mA
-30mA
IB=0
--4mA
--2mA
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
VCE= --2V
--2.0
--1.0
--1.6
--1.4
--1.2
--0.6
--0.8
--0.4
--0.2
--1.8
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.1
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
IT07579
-50mA
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PDF描述
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2SA21400Q 功能描述:TRANS PNP 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2142 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Voltage Switching Applications
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