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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2125 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SA2125 |
2SA2125 / 2SC5964
No.7988-3/5
hFE -- IC
Cob -- VCB
f T -- IC
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
7
5
3
2
10
100
--0.1
37
25
3
7
25
3
7
25
--1.0
--10
--100
7
5
3
2
10
100
0.1
37
25
3
7
25
3
7
25
1.0
10
100
IT07266
2SA2125
f=1MHz
IT07267
2SC5964
f=1MHz
IT07262
IT07263
100
2
7
3
5
1000
7
5
3
--0.01
25
7
32
5
7
32
5
3
--0.1
--1.0
IT07264
2SA2125
VCE= --10V
3
100
2
7
1000
7
3
2
5
0.01
25
7
32
5
7
32
5
3
0.1
1.0
IT07265
2SC5964
VCE=10V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1000
100
7
5
7
5
3
2
3
--0.01
3
25
--0.1
73
25
7
3
25
--1.0
2SA2125
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1000
100
7
5
3
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0.01
3
25
0.1
73
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25
1.0
2SC5964
VCE=2V
2SC5964
VCE=2V
IT07261
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2125
VCE= --2V
--3.0
--2.5
--2.0
--1.0
--0.5
--1.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
3.0
2.5
2.0
1.0
0.5
1.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IT07260
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2140P | 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2140Q | 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2163 | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2169 | 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017-TL | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SA2125_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2125-S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2125-S-TD-H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 3A 50V - Tape and Reel |
| 2SA2125-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2125-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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