參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2125
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
中文描述: 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大小: 43K
代理商: 2SA2125
2SA2125 / 2SC5964
No.7988-2/5
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Ratings
typ
(--125)100
(--250)190
(--)0.94
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
VCE=(--)2V, IB=(--)100mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)100
μ
A, RBE=0
IC=(--)1mA, RBE=
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
(--230)150
(--500)290
(--)1.2
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
(--50)100
(--50)100
(--)50
(--)6
(30)35
(230)300
(18)25
Package Dimensions
unit : mm
2038B
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2
4
1
1.5
0.5
0.4
3.0
0.75
4.5
1.6
0.4
1
2
3
1.5
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
IC -- VCE
IC -- VCE
100mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
--5.0
--4.5
--4.0
--3.0
--3.5
--2.0
--2.5
--1.0
--1.5
--0.5
0
--0.4
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
5.0
4.5
4.0
3.0
3.5
2.0
2.5
1.0
1.5
0.5
0
0.4
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
IT07258
IT07259
--10mA
--20mA
--50mA
--100mA
--250mA
IB=0
--5mA
10mA
20mA
40mA
80mA
60mA
IB=0
5mA
2SA2125
--200mA
2SC5964
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA2125-S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SA2125-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2