參數(shù)資料
型號： 2SA2120-O
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： 2SA2120-O
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2120 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2121-R 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2121 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2125 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2140P 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2120-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SA2121 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
2SA2121-O 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2121-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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