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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2071 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power transistor (−60V, −3A) |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SA2071 |
2SA2071
Transistor
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2/3
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE (sat)
h
FE
f
T
Cob
Ton
Tstg
Tf
Min.
60
60
6
120
Typ. Max.
200
500
180
50
20
150
20
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
MHz
pF
ns
ns
ns
Conditions
I
C
=
100
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
100
μ
A
V
CB
=
40V
V
EB
=
4V
I
C
=
2A, I
B
=
0.2A
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
V
CE
=
10V, I
E
=
10mA, f
=
10MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0mA, f
=
1MHz
I
C
=
3A
I
B1
=
300mA
I
B2
=
300mA
V
CC
25V
2
1.0
1.0
390
1
1
1 Non repetitive pulse
2 See switching charactaristics measurement cicuits
!
h
FE
RANK
Turn-on time
Storage time
Fall time
Transition frequency
Collector output capacitance
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector-base breakdown voltage
Q
120
270
!
Electrical characteristic curves
0.1
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
1
10
100
Fig.1 Safe Operating Area
0.001
0.01
0.1
1
C
C
10
100ms
DC
10ms
1ms
100us
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.2 Switching Time
10
100
S
1000
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
25V
I
C
/I
B
=
10/1
Tstg
Tf
Ton
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι
)
1
10
100
D
F
1000
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ
)
10
100
D
F
1000
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
V
CE
=
3V
V
CE
=
2V
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
Ι
)
0.01
0.1
1
C
V
C
10
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
10/1
Ta
=
25
°
C
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.6 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
ΙΙ
)
0.01
0.1
1
C
V
C
10
I
C
/I
B
=
20/1
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| 2SA2071T100R | 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-89 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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