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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2009G-S |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | 2SA2009G-S |
2SA2009G
2
SJC00349AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
IC VBE
0160
40
120
80
0
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
60
50
40
30
20
10
Ta
= 25°C
250 A
200 A
150 A
100 A
50 A
IB
= 300 A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
30
25
20
15
10
5
VCE
= 5 V
Ta
= 85°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
IC / IB
= 10
Ta
= 85°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
500
400
450
350
300
250
200
150
100
50
VCE
= 5 V
Ta
= 85°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
10
8
6
4
2
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2011 | 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2011 | 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2018HT2L | 500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2021G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2022 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2009R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-70 |
| 2SA2009S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-70 |
| 2SA2009T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-70 |
| 2SA201 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SA203 |
| 2SA2010 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
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