參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1977
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 185K
代理商： 2SA1977
2SB1495
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SB1495
High-Power Switching Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1.5 A)
Complementary to 2SD2257
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
3
Collector current
Pulsed
ICP
5
A
Base current
IB
0.3
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 4 k
≈ 800
Collector
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1977-L-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT
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2SA1977-T1B-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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