參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1977
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
中文描述： 進(jìn)步黨外延硅晶體管微波放大器
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 58K
代理商： 2SA1977
9
2SA1977
S-PARAMETER
(V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, Zo = 50
)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.595
34.2
62.8
86.0
104
119
132
143
153
162
170
177
11.62
154.
0.0328
74.9
0.902
19.4
33.2
41.9
47.3
50.3
52.2
54.1
55.7
57.2
58.9
60.6
62.1
64.6
66.5
68.5
71.4
73.6
76.9
80.3
83.1
86.5
90.7
93.6
97.5
101.
200
0.511
9.618
134.
0.0573
64.8
0.760
300
0.432
7.920
120.
0.0734
58.5
0.633
400
0.362
6.575
110.
0.0852
57.1
0.542
500
0.345
5.511
102.
0.0964
55.9
0.471
600
0.323
4.749
95.9
0.106
56.4
0.420
700
0.308
4.177
90.5
0.116
56.6
0.383
800
0.300
3.712
85.8
0.126
57.1
0.355
900
0.297
3.359
81.5
0.137
57.3
0.332
1000
0.295
3.064
77.6
0.147
57.9
0.315
1100
0.297
2.818
74.0
0.158
57.9
0.299
1200
0.300
176
2.617
70.6
0.169
58.3
0.287
1300
0.303
170
2.439
67.4
0.181
58.1
0.276
1400
0.308
164
2.284
64.2
0.192
58.1
0.266
1500
0.314
160
2.159
61.2
0.203
57.8
0.258
1600
0.322
155
2.046
58.4
0.215
57.5
0.250
1700
0.328
151
1.944
55.7
0.227
57.3
0.243
1800
0.335
147
1.855
53.0
0.240
56.5
0.241
1900
0.341
143
1.774
50.5
0.252
56.1
0.233
2000
0.349
140
1.705
48.1
0.264
55.5
0.230
2100
0.355
136
1.638
45.7
0.276
54.7
0.226
2200
0.364
133
1.583
43.5
0.289
54.2
0.222
2300
0.372
130
1.53
41.2
0.302
53.2
0.218
2400
0.378
128
1.479
39.0
0.314
52.5
0.218
2500
0.386
125
1.439
37.0
0.326
51.7
0.215
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2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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