參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1967
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于高電壓放大器,高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
中文描述: npn型三重?cái)U(kuò)散硅平面晶體管的高電壓放大器,高壓開關(guān)應(yīng)用(用于高電壓放大器,高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的npn型硅外延平面型晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大小: 90K
代理商: 2SA1967
2SA1967
No.5182–2/3
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA1972(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SA1972(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1972,F(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1