參數(shù)資料
型號： 2SA1958
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
中文描述： 硅外延進步黨（外延進步黨晶體管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 36K
代理商： 2SA1958
2SA1958
4
Collector Current I (mA)
C
C
V
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
–10
–2
–5
–1
–0.2
–0.5
–0.1
–0.05
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
Tc = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
I / I = 10
Collector Current I (mA)
V
B
B
I / I = 10
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
–10
–2
–5
–1
–0.2
–0.5
–0.1
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
Tc = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
Collector Current I (mA)
1000
200
500
100
20
50
10
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
G
T
V = –20 V
Tc = 25
°
C
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
Collector to Base Voltage V (V)
Collector Output Capacitance
vs. Collector to Base Voltage
C
1
100
20
50
10
2
5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
I = 0
f = 1 MHz
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