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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1923 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 172K |
| 代理商： | 2SA1923 |
2SA1923
2010-03-10
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
IC – VBE
Base-emitter voltage VBE (V)
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
hFE – IC
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(
sa
t)
(V
)
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(
sat)
(V)
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Common emitter
Tc = 25°C
0
500
100
IB = 0.5 mA
200
300
400
2
4
6
8
10 12
80
100
40
20
2
20
60
10
14 16 18
5
1
0.1
1
10
Common emitter
IC/IB = 10
5
10
100
500
0.3
0.5
1
3
Tc = 100°C
55
25
Common emitter
VCE = 5 V
0
500
100
200
300
400
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Tc = 100°C
55
25
3
1
1000
5
10
500
10
100
1000
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 55°C
100
25
30
50
100
300
Common emitter
IC/IB = 10
30
0.03
1
0.05
0.1
0.3
10
0.5
1
3
5
10
100
1000
Tc = 55°C
100
25
3000
1
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
300 μs*
10 μs*
10 ms*
100 μs*
1 ms*
3
10
30
100
300
1000
300
3
10
30
100
DC operation
Tc = 25°C
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