參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1909P
廠(chǎng)商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FM100, TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 28K
代理商： 2SA1909P
37
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5101)
Application : Audio and General Purpose
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Ratings
–140
–6
–10
–4
80(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
°C
sAbsolute maximum ratings
sElectrical Characteristics
Symbol
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE
VCE(sat)
fT
COB
Ratings
–10max
–140min
50min
–0.5max
20typ
400typ
Unit
A
V
MHz
pF
Conditions
VCB=–140V
VEB=–6V
IC=–50mA
VCE=–4V, IC=–3A
IC=–5A, IB=–0.5A
VCE=–12V, IE=0.5A
VCB=–10V, f=1MHz
2SA1909
(Ta=25°C)
I C– V CE Characteristics (Typical)
h FE– I C Characteristics (Typical)
Safe Operating Area (Single Pulse)
h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)
I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)
V CE(sat) – I B Characteristics (Typical)
Pc – T a Derating
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–2
–3
–4
Collector-Emitter Voltage V CE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
–400mA
–25mA
I B=–10mA
–300mA
–200mA
–150mA
–100mA
–75mA
–50mA
0
–3
–2
–1
0
–2.0
–0.5
–1.5
–1.0
Base Current I B(A)
Collector-Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
I C=–10A
–5A
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–1.5
–1
Base-Emittor Voltage V BE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
(V CE=–4V)
125C
(Case
Temp)
25C
(Case
Temp)
–30C
(Case
Temp)
–10
–50
–3
–5
–100
–200
–0.1
–1
–0.5
–10
–30
–5
Collector-Emitter Voltage V CE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
Without Heatsink
Natural Cooling
DC
100ms
10ms
0.02
0.1
1
1 0
0
10
30
20
Cut-off
Frequency
f
T
(MH
Z
)
(V CE=–12V)
Emitter Current I E(A)
Typ
0.1
1
3
0.5
1
1 0
100
1000
2000
Time t(ms)
Transient
Thermal
Resistance
θ
j-a
(C/W)
θj-a–t Characteristics
f T– I E Characteristics (Typical)
(V CE=–4V)
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5
–10
20
50
100
200
Collector Current I C(A)
DC
Current
Gain
h
FE
125C
–30C
25C
–0.02
–0.1
–1
–5
–0.5
–10
30
50
100
200
Collector Current I C(A)
DC
Current
Gain
h
FE
(V CE=–4V)
Typ
80
60
40
20
3.5
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
Maximum
Power
Dissipation
P
C
(W)
With
Infinite
heatsink
Without Heatsink
sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)
VCC
(V)
–60
RL
(
)
12
IC
(A)
–5
VBB2
(V)
5
IB2
(A)
0.5
ton
(
s)
0.17typ
tstg
(
s)
1.86typ
tf
(
s)
0.27typ
IB1
(A)
–0.5
VBB1
(V)
–10
External Dimensions FM100(TO3PF)
4.4
1.5
BE
C
5.45±0.1
3.3±0.2
1.6
3.3
1.75
0.8
±0.2
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45±0.1
23.0
±0.3
16.2
9.5
±0.2
5.5
15.6±0.2
5.5±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3.0
0.8
a
b
Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.
hFE Rank O(50to100), P(70to140), Y(90to180)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1909O 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1926 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1927F 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1927G 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1928G 50 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1923(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1924(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SA1925(TP,Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1930(ONK,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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