參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1909
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
中文描述： 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, FM100, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 25K
代理商： 2SA1909
37
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SC5101)
2S A1909
Application :
Audio and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SA1909
–140
–140
–6
–10
–4
80(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
2SA1909
–10
max
–10
max
–140
min
50
min
–0.5
max
20
typ
400
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=–140V
V
EB
=–6V
I
C
=–50mA
V
CE
=–4V, I
C
=–3A
I
C
=–5A, I
B
=–0.5A
V
CE
=–12V, I
E
=0.5A
V
CB
=–10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–2
–3
–4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
–400mA
–25mA
I
B
=–10mA
–300mA
–200mA
–150mA
–100mA
–75mA
–50mA
0
–3
–2
–1
0
–2.0
–0.5
–1.5
–1.0
Base Current I
B
(A)
C
C
(
I
C
=–10A
–5A
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–1.5
–1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=–4V)
15CCsTm
2CCeep
–CaTp
–10
–50
–3
–5
–100
–200
–0.1
–1
–0.5
–10
–30
–5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
DC
10m
1m
0.02
0.1
1
10
0
10
30
20
C
T
(
Z
)
(V
CE
=–12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
0.1
1
3
0.5
1
10
100
1000
2000
Time t(ms)
T
θ
j
(
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
(V
CE
=–4V)
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5
–10
20
50
100
200
Collector Current I
C
(A)
D
F
125C
–30C
25C
30
–0.1
–1
–5
–0.5
–10
50
100
200
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–4V)
Typ
80
60
40
20
3.5
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–60
12
–5
R
L
(
)
I
C
(A)
V
(V)
5
I
B2
(A)
0.5
t
on
(
μ
s)
0.17typ
t
stg
(
μ
s)
1.86typ
t
f
(
μ
s)
0.27typ
I
(A)
–0.5
V
(V)
–10
External Dimensions
FM100(TO3PF)
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.
h
FE
Rank O(50to100), P(70to140), Y(90to180)
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PDF描述
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2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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