參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1889B
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-126FM, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 23K
代理商： 2SA1889B
2SA1889
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–200
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–200
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–4
V
Collector current
I
C
–0.2
A
Collector peak current
I
C(peak)
–0.5
A
Collector power dissipation
P
C
1.4
W
Collector power dissipation
P
C*
1
8W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–200
—
V
I
C = –10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–200
—
V
I
C = –1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–4
—
V
I
E = –10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–10
AV
CB = –160 V, IE = 0
DC current
transfer ratio
2SA1889B
h
FE
60
—
120
V
CE = –5 V, IC = –10 mA
2SA1889C
h
FE
100
—
200
Base to emitter voltage
V
BE
——–1.0
V
CE = –5 V, IC = –30 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
——–1.0
V
I
C = –30 mA, IB = –3 mA
Gain bandwidth product
f
T
200
300
—
MHz
V
CE = –20 V, IC = –30 mA
Collector output capacitance
Cob
—
5.0
—
pF
V
CB = –30 V, IE = 0, f = 1 MHz
See characteristic curves of 2SA1810.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1889B 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SA1893-O 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SA18900RL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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