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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1876 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | EPACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 292K |
| 代理商： | 2SA1876 |
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
HSV Series
Switching Power Transistor
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
-3A PNP
2SA1876
(TE3T8)
Case : E-pack
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
-80
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-80
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-7
V
Collector Current DC
IC
-3
A
Collector Current Peak
ICP
-6
A
Base Current DC
IB
-1
A
Base Current Peak
IBP
-1.5
A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
10
W
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = -0.05A
Min -80
V
Collector Cutoff Current
ICBO
At rated Voltage
Max -0.1
mA
ICEO
Max -0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
At rated Voltage
Max -0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = -2V, IC =-1.5A
Min 70
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = -1.5A
Max -0.3
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = -0.15A
Max -1.2
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 12.5 /W
Transition Frequency
fT
VCE = -10V, IC = -0.3A
TYP 50
MHz
Turn on Time
ton
Max 0.3
IC = -1.5A
Storage Time
ts
IB1 = -0.15A, IB2 = -0.15A
Max 1.5
s
RL = 20, VBB2 = -4V
Fall Time
tf
Max 0.2
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| 2SA1900T100/PR | 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1900T100/QR | 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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