參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1871
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING
中文描述： 進(jìn)步黨三重?cái)U(kuò)散硅晶體管高速高壓開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： 2SA1871
2SA1871
°
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
600 V, I
E
= 0
–10
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
=
7.0 V, I
C
= 0
–10
μ
A
DC current gain
h
FE1
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.1 A
30
60
120
–
DC current gain
h
FE2
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.5 A
5
20
–
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
300 mA, I
B
=
60 mA
–0.3
–1.0
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)
I
C
=
300 mA, I
B
=
60 mA
–0.85
–1.2
V
Gain bandwidth product
f
T
V
CE
=
10 V, I
E
= 50 mA
30
MHz
Output capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
40
pF
Turn-on time
t
on
0.1
0.5
μ
s
Storage time
t
stg
3.5
5.0
μ
s
Fall time
t
f
I
C
=
0.5 A, V
CC
=
250 V
I
B1
=
I
B2
=
0.1 A,
R
L
= 500
,
0.1
0.5
μ
s
FE
Marking
GA1
GA2
GA3
h
FE1
30 to 60
40 to 80
60 to 120
°
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PDF描述
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