參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1790C
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 201K
代理商： 2SA1790C
2SK1338
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 6
Main Characteristics
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Power vs. Temperature Derating
10
2
0.5
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
5
1
0.2
1
0.1
3
10
30
100
300
1,000
0.05
0.02
0.01
Ta = 25
°C
100
s
1 ms
PW
=
10
ms
(1
shot)
DC
Operat
ion
(T
C =
25
°C)
Operation
in
this
area
is
limited
b
y R
DS
(on)
10
s
5
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
4
1
10
30
40
0
2
3
Drain
Current
I
D
(A)
VGS = 3.0 V
4.0 V
Pulse Test
4.5 V
5.0 V
5.5 V
10 V
6 V
5
410
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
4
1
26
8
0
2
3
TC = 25°C
–25
°C
75
°C
VDS = 20 V
Pulse Test
50
820
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
40
10
412
16
0
20
30
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
1 A
2 A
ID = 3 A
50
Drain Current ID (A)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
20
2
1
5
10
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Pulse Test
0.5
2
VGS = 10 V
15 V
0.05
0.1
0.2
0.5
1
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1790G-C 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1790G 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SA1791G 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1793 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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