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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1748G |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | 2SA1748G |
Transistors
1
Publication date: April 2007
SJC00348AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SA1748G
Silicon PNP epitaxial planar type
For high-frequency amplification
Complementary to 2SC4562G
■ Features
High transition frequency f
T
Small collector output capacitance C
ob
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 0
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 0
5V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0
0.1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 10 V, IB = 0
100
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE =
10 V, I
C =
2 mA
200
500
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.1
0.3
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
250
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
1.5
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Rank
Q
R
hFE
200 to 400
250 to 500
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: AL
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1748GR | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1748R | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1757/F | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SA1759T100 | 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1762S | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1748GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA1759T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1761(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk |
| 2SA1761,F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1761,T6F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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