參數(shù)資料
型號： 2SA1734T2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 1213-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SA1734T2G
2SA1734T2G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage (Note 3)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
30
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.1
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 V, IC = 0)
IEBO
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
DC Current Gain
(IC = 100 mA, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
hFE
120
40
400
Collector Emitter Saturation Voltage
(IC = 700 mA, IB = 35 mA)
VCE(sat)
0.5
Vdc
Base Emitter Saturation Voltage (IC = 700 mA, IB = 35 mA)
VBE(sat)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product (Note 4)
(IC = 100 mAdc, VCE = 2.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
MHz
Collector Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0 mAdc, f = 1.0 MHz)
COB
16
pF
3. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.
4. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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