參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1720-AZ
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ISOLATED TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 113K
代理商： 2SA1720-AZ
Data Sheet D14857EJ2V0DS
2
2SA1720
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
100 V, IE = 0 A
10
A
DC current gain
hFE1
VCE =
2.0 V, IC = 5.0 ANote
4,000
20,000
DC current gain
hFE2
VCE =
2.0 V, IC = 10 ANote
500
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC =
5.0 A, IB = 5.0 mANote
0.9
1.5
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC =
5.0 A, IB = 5.0 mANote
1.5
2.0
V
Gain bandwidth product
fT
VCE =
5.0 V, IC = 5.0 A
100
MHz
Turn-on time
ton
0.2
s
Storage time
tstg
1.5
s
Fall time
tf
IC = –5.0 A, RL = 10
,
IB1 =
IB2 = 5 mA, VCC 50 V
Refer to the switching time (ton, tstg, tf) test
circuit.
0.7
s
1RWH Pulse test PW ≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE CLASSIFICATION
Marking
L
K
hFE1
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT
%DVH FXUUHQW
ZDYHIRUP
&ROOHFWRUFXUUHQW
ZDYHIRUP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1720 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1726O 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1727F5TLPQ 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1727TLP 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1727TL/P 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SA1720-K(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1720-L(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1721OTE85LF 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1721RTE85LF 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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