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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1714 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | 2SA1714 |
Data Sheet D16124EJ1V0DS
5
2SA1714
[MEMO]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1714-L | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1720-AZ | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1720 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1726O | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1727F5TLPQ | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1720-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
| 2SA1720-K(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1720-L(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1721OTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
| 2SA1721RTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
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