參數(shù)資料
型號： 2SA1380-F
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SA1380-F
No.1425-2/5
2SA1380/2SC3502
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ITR03324
IC -- VCE
0
--1
--2
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--10
--1
--2
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--4
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IB=0
ITR03325
IC -- VCE
10
67
8
9
12
3
4
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0
2
4
6
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12
10
14
16
18
20
2SA1380
IB=0
2SC3502
ITR03326
IC -- VCE
0
--20
--40
--60
--80
--100
0
--6
--2
--4
--8
--10
IB=0
ITR03327
IC -- VCE
60
70
80
100
90
40
50
20
30
10
0
2
3
1
4
5
6
7
8
9
10
2SA1380
IB=0
2SC3502
--40
A
--50
A
--40A
--50A
--30A
--20
A
--10
A
80A
70A
60
A
50
A
40
A
30
A
10
A
20
A
--30
A
--20
A
--10
A
160A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
20
A
ITR03328
IC -- VBE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
120
2SA1380
VCE=10V
T
a=75
°C
25
°C
--
2
5°
C
ITR03329
IC -- VBE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
120
2SC3502
VCE=10V
Ta
=
7
5°
C
25
°C
--
2
5°
C
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相關PDF資料
PDF描述
2SC3502-E 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3502-E 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3502-F 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1380-E 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1384-Y 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1381 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1381CSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1381DSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1381ESTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1381FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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