| 型號: | 2SA1313-Y |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝: | 2-3F1A, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 206K |
| 代理商: | 2SA1313-Y |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1313 | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1315 | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1315-O | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1316 | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1316-GR | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1313-Y(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 50MA S-MINI |
| 2SA1313-Y(TE85L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Bipolar Small-Signal Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1313-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
| 2SA1313YT5LFT | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM SIG POWER TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1314-B(TE12L,CF | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 10V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |