參數(shù)資料
型號： 2SA1127
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 37K
代理商： 2SA1127
1
Transistor
2SA1127
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
Complementary to 2SC2634
I
Features
G
Low noise characteristics.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO–92
EIAJ:SC–43A
5.0
±
0.2
4.0
±
0.2
5
±
0
1
±
0
0.45
+0.2
0.45
+0.2
1.27
1.27
2
±
0
2.54
±
0.15
2
1
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–60
–55
–7
–200
–100
400
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter voltage
Transition frequency
Noise voltage
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
V
BE
f
T
NV
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
CE
= –10V, I
B
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –5V, I
C
= –2mA
I
C
= –100mA, I
B
= –10mA
V
CE
= –1V, I
C
= –30mA
V
CB
= –5V, I
E
= 2mA, f = 200MHz
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
min
–60
–55
–7
180
typ
–1
– 0.01
200
max
–100
–1
700
– 0.6
–1
150
Unit
nA
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
mV
*
h
FE
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE
180 ~ 360
260 ~ 520
360 ~ 700
相關PDF資料
PDF描述
2SA1128 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1135 2SA1135
2SA1141 2SA1141 2SC2681
2SC2681 2SA1141 2SC2681
2SA1145 TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA11270RA 功能描述:TRANS PNP 55VCEO 100MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1127R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1127S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1127-ST 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1127T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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