參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1122CD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 100K
代理商: 2SA1122CD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1541(S)TR 7 A, 500 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK439TZ VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET
2SB1459RF 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD468TZ 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1084RR 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1122CDTL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial
2SA1122D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
2SA1123 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)
2SA11230RA 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1123R 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR