參數(shù)資料
型號： 2SA1032C
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92 (1), 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： 2SA1032C
2SA1031, 2SA1032
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
2SA1031
2SA1032
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
–30
—
–55
—
V
I
C = –10 A, IE = 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
–30
—
–50
—
V
I
C = –1 mA, RBE = ∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
–5
—
–5
—
V
I
E = –10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–0.5
—
–0.5
AV
CB = –18 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
—
–0.5
—
–0.5
AV
EB = –2 V, IC = 0
DC current trnsfer ratio
h
FE*
1
100
—
500
100
—
320
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
–0.8
—
–0.8
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Collector to emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
—
–0.2
—
–0.2
V
I
C = –10 mA,
I
B = –1 mA
Gain bandwidth product f
T
200
280
—
200
280
—
MHz
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Collector output
capacitance
Cob
—
3.3
4.0
—
3.3
4.0
pF
V
CB = –10 V, IE = 0,
f = 1 MHz
Noise figure
NF
—
5
—
5
dB
V
CE = –6 V,
I
C = –0.1 mA,
R
g = 500 ,
f = 120 Hz
Note:
1. The 2SA1031 and 2SA1032 are grouped by h
FE as follows.
BC
D
2SA1031
100 to 200
160 to 320
250 to 500
2SA1032
100 to 200
160 to 320
—
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1031 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1036-R-TP 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1036KT146R 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1036KT146/P 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1036KT146P 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1033 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTO TO-92 -30V -.1A .31W EBC
2SA1034 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1034/2SA1035 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SA1034. 2SA1035 - PNP Transistor
2SA10340SL 功能描述:TRANS PNP 35VCEO 50MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1034R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB
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