參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1020
廠商： 友順科技股份有限公司
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨外延硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： 2SA1020
UTC 2SA1020
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
3
QW-R208-021,A
I(tot)
mA
-0.4
Base Emitter Voltage V
BE
(V)
Ic -V
BE
0
-0.8
0
-1.2
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
C
-1.6
I 2.Ta=25
mA
20
Pc-Ta
0
40
0
100
60
140 160
0.2
0.6
0.8
1.0
C
1.Mounted on Ceramic
Substrate (250mm
2
*0.8t)
℃
80
0.4
I(tot)
mA
-0.01
-0.03
V
CE
(sat)-Ic
-0.005
-0.03
Collector Current I
C
(A)
-3
-0.01
C
V
C
(
-0.05
-0.1
-0.3
-0.5
-0.1
-0.3
-1
-1
COMMON EMITTER
I
C
/I
B
=20
Ta=100
℃
25
℃
-55
℃
I(tot)
mA
-0.01
-0.3
V
CE
(sat)-Ic
-0.005
-0.03
Collector Current I
C
(A)
-3
-0.1
C
V
B
(
-0.5
-1
-3
-5
-0.1
-0.3
-1
-10
COMMON EMITTER
I
C
/I
B
=20
Ta=100
℃
25
℃
-55
℃
Ta=100
℃
25
℃
-55
℃
COMMON EMITTER
V
CE
=-2V
Ambient Temperature Ta
℃
120
1.2
1
2
-0.3
Safe Operation Area
C
-1
-0.1
-0.3
-3
-0.05
-0.5
-1
Collector Emitter Voltage V
CE
(V)
-3
-5
-10
-30
-100
Ic max.(pulsed)*
-0.03
-0.01
Ic max.(pulsed)*
10ms*
1ms*
100ms
1s*
DC OPERATION
Ta=25
℃
*Single nonrepetitive pulse
Ta=25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
V
CEO
MAX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1020 TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors
2SA1020 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1029 Silicon PNP Epitaxial(小信號(hào)晶體管)
2SA1030 Silicon PNP Epitaxial(小信號(hào)晶體管)
2SA1156K TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1020_05 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications Power Switching Applications
2SA1020_10 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Plastic Encapsulated Transistor
2SA1020_11 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020A,NSEIKIF(J 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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