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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2PD601AS-TAPE-13 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2PD601AS-TAPE-13 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD601AQ-TAPE-7 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD601R-TAPE-13 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD602-T | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD601 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD601-T | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2PD601ASW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
| 2PD601ASW T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601ASW,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601ASW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| 2PD601AW | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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