型號(hào): | 2N760B |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|到18 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 137K |
代理商: | 2N760B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N2060A | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
2N2060A | Dual Amplifier Transistor(Small Signal Dual Transistor in a TO-77 Hermetic Package)(具有放大器功能的雙晶體管(TO-77封裝兩個(gè)小信號(hào)晶體管)) |
2N2060 | Silicon NPN Transistor |
2N2060 | Dual Transistors |
2N2060A | Dual Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N7632UC | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET |
2N7635-GA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N7636-GA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N7637-GA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |