參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002KFN3
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, DFN-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2N7002KFN3
PAGE . 4
September 03.2010-REV.00
2N7002KFN3
Fig.6 - Gate Charge Waveform
Fig.8 - Threshold Voltage vs Temperature
Fig.7 - Gate Charge
Fig.9 - Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Fig.10 - Source-Drain Diode Forward Voltage
Qgd
Qgs
Qg
Qsw
Vgs(th)
Vgs
Qg
Qg(th)
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Qg -GateCharge(nC)
V
GS
-
G
a
te
-to
-S
o
u
rc
e
V
o
lta
g
e
(V
)
V =10V
I =250mA
DS
D
72
74
76
78
80
82
84
86
88
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Junction Temperature (
oC)
BV
DS
S
-
B
re
a
k
dow
n
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250uA
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Junction Temperature (
oC)
V
th
-
G
-S
Thre
s
hold
V
olt
a
ge
(N
O
R
MALIZE
D)
ID =250
mA
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
IS
-
S
o
u
rce
C
u
rren
t
(A
)
V =0V
GS
T =125
J
℃
25
℃
-55
℃
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PDF描述
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