參數(shù)資料
型號： 2N7002K
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Ch; 60V (DS) MOSFET; add ESD protect function
中文描述： N溝道，60V(D-S) MOSFET;補充的ESD保護功能
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： 2N7002K
Vishay Siliconix
SPICE Device Model 2N7002K
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1.6
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
4
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 500 mA
1.1
1.1
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 200 mA
1.6
1.6
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 200 mA
240
550
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 200 mA, V
GS
= 0 V
0.85
0.87
V
Total Gate Charge
Q
g
0.30
0.40
Gate-Source Charge
Q
gs
0.11
0.11
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 250 mA
0.15
0.15
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 73307
S-50261
Rev. A, 21-Feb-05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002M MOSFET( N-Channel )
2N7002T-7-F N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002VA-7-L DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002K / T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET
2N7002K _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
2N7002K,215 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002K 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.34A SOT23
2N7002K_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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