| 型號： |
2N7002ET1G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
1/5頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
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| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SOT-23-3 Pkg
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| 標準包裝： |
10 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
260mA
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
2.5 歐姆 @ 240mA，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
0.81nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
26.7pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
300mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供應商設(shè)備封裝： |
SOT-23-3（TO-236）
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| 包裝： |
標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1558 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
2N7002ET1GOSDKR
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