參數(shù)資料
型號(hào): 2N7000/E6
廠商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
封裝: PLASTIC, TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 157K
代理商: 2N7000/E6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000L-18 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
2N7000LTR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
2N7002TT2 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
2N7002T 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
2N7000LTA 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000G 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET
2N7000-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET
2N7000-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET