| 型號: | 2N699B |
| 廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝: | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 460K |
| 代理商: | 2N699B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1132B | 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N698 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1889 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1054 | 115 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1054 | 115 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N70 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N700 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72 |
| 2N7000 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N-7000 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2N7000 AMO | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |